化学机械CMP研磨冷却水降温设备
产品介绍
1.半导体芯片制造领域，硅晶片表面处理工艺，在曝光的过程中，表面平整才能有效避免光的散射来实现图像转移，采用化学机械研磨法，能够实现标准的工艺要求，在半导体芯片的硅晶片制作工艺进入到毫米级后需采用化学机械研磨法，使硅晶片表面的平整程度达到制作的工艺要求。
2. 硅晶片与研磨垫相对运动过程会产生摩擦，从而会使研磨垫的温度上升。温度会升到80℃。研磨垫的温度范围30℃～75℃，研磨垫的温度低于30℃或高于75℃时，会使研磨液与硅晶片表面的化学反应特性变差，影响硅晶片表面的平整度，需配置一台化学机械CMP研磨冷却水降温设备来控制水温。
3. 化学机械CMP研磨冷却水降温设备提供低温冷水对CMP研磨机中抛光带的冷却装置降温，解决了CMP研磨机使用过程中抛光带温度比较高的问题，冷却装置包括一个冷水箱，水泵，冷水箱与抛光带抛光工作面的接触.能有效降低工作过程中抛光带的温度。
设备的应用
硅晶片双面化学机械CMP研磨抛光自带的冷却装置的降温是利用化学机械CMP研磨冷却水降温设备提供的冷源，调节系统和显示控制系统,通过显示面板即可实时监测工作温度，冷却水沿冷却通道对下磨盘进行冷却,有效地控制了硅晶片的加工温度,提高了硅晶片CMP研磨抛光的表面质量,降低了硅晶片碎片率。
产品优势
化学机械CMP研磨冷却水降温设备作为化学机械CMP研磨过程中研磨抛光的温度控制系统，通过控制抛光的温度使得硅晶片在抛光程中的温度得到控制，良品率等保持在理想状态，延长研磨抛光的使用时间，有效提高硅晶片的平整性和稳定性.
产品特点
标准型：智能控制水温5～30℃±1，
非标定制型：智能控制水温 -50～85℃±0.3；控制水流1～1000L±0.03L；控制压力0.1～10±0.04Mpa
智能控制系统：PCL、触摸屏，，数据采集，RS485接口，选配 CAN通信总线，以太网接口远程控制，可连接上位机及手机APP控制。
保护功能：电源相序保护装置、漏电保护装置、压缩机过载保护装置、电圈过热保护装置、高低压保护装
置、缺水保护装置、冷冻水流保护装置、防冻保护装置。
售后服务
为创造品牌，树立企业形象，我们本着“一切追求质量，用户满意为宗旨”的精神，以“优惠的价格、周到的服务、可靠的产品质量”的原则向您作出以下郑重承诺：
1、买方使用部门可以到我司进行免费设备操作培训；
2、使用三个月后，我司客服部会对设备的使用状况回访；
3、我司所有设备，免费保修一年，质保期内，所需零配件的及维修均我司承担；但设备非正常损坏均不属保修范围，买方应支付所产生的更换零配件、路费、食宿费用。
4、根据消费者要求，免费上门调试及有关使用等方面的技术指导
5、免费保修期外，当设备损坏时买方需支付所更换配件费用（按材料采购成本计价）；
6、确保设备零配件的供应，可签终身维修服务协议，负责产品终身维修服务。
7、接到客户电话及“设备故障通知书”后，通过远程维护，如维护不了广东范围内24小时之内到达现场处理，广东省以外72小时之内到达现场处理。
组技术参数
|
型号
Model
|
制冷量
Refrigerati
ng capacity
|
压缩机
Compressor
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蒸发器
Evaporator
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冷凝器
Condenser
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水泵
water pump
|
外型尺寸
Shape dimension
|
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kcal/h
|
kw
|
kw
|
hp
|
L
|
inch
|
m3/h
|
m3/h
|
kw
|
mpa
|
cm
|
|
JRW-10
|
24940
|
29
|
7.5
|
10
|
160
|
2"
|
6
|
10000
|
1.5
|
0.18
|
148×70×168
|
|
JRW-12
|
29928
|
34.8
|
4.5×2
|
12
|
170
|
2"
|
7.2
|
12000
|
1.5
|
0.18
|
150×70×173
|
|
JRW-15
|
37410
|
43.5
|
5.5×2
|
15
|
200
|
2"
|
9
|
15000
|
1.5
|
0.18
|
160×75×190
|
|
JRW-20
|
49880
|
58
|
7.5×2
|
20
|
300
|
2"
|
12
|
|
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